初步
CM3121
功能说明
该CM3121提供电源的DDR -I / DDR- II memo-
里斯片上两个电压调节器。有一个
超温过热关机，如果任何一个稳压的
lators过热。每个稳压器还具有反向电流
租保障在任何被关闭的事件。
在V
DDQ
线性稳压器可以提供2.5V / 1.8V
DDR -I / -II内存高达1.5A 。一个外部反馈
电阻分压器R1和R2 ，连接到时
SENSE_V
DDQ
销，使选择的V
DDQ
产量
电压范围为2.2V至2.8V与DDR -I使用memo-
里斯需要大于2.5V的V其他
DDQ
（见
在这种模式下，在VDDQ的电压detemined按下列方法
低点：
(R1+R2)
V
DDQ
= 1.25V X ----------------------
R2
当SENSE_V
DDQ
连接到GND或悬空，
V
DDQ
固定为2.50V （和V
TT
在1.25V ） 。对于DDR- II
操作时， V
DDQ
可以设定从1.7V到1.9V 。在V
TT
稳压器是一个线性源库调节器供电
从V
DDQ
输出供给V
TT
供应
通过DDR -I内存端接电阻要求。这
调节水池或来源高达0.5A 。在V
TT
产量
电压准确地跟踪V
DDQ
/ 2 〜1％。当有
无V
CC
提供V
TT
断电时，其输出
为0V 。该稳压器具有过载电流的限制
0.6A最小。
当设为低电平有效的EN_DDR引脚使
CM3121中采用V正常模式下操作
DDQ
和V
TT
活跃的。当EN_DDR高， CM3121被禁用
和两个V
DDQ
和V
TT
被设置为0V。
FAULT输出通常为逻辑高电平，但是当
上发生的过电流或者V
DDQ
或V
TT
输出，
FAULT引脚变为低电平，并保持低电平，只要
过流故障依旧。此外，如果该芯片进入
热过载，或者在输入电压V
CC
滴suffi-
ciently该芯片进入欠压锁定，输出
模式（ UVLO ） ， FAULT引脚变为低电平，而遗体
低，只要条件仍然存在。
PACKAGE /引脚布局图
顶视图
V
CC
V
DDQ
V
TT
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
SENSE_V
DDQ
故障
SENSE_V
TT
EN_DDR
注意：该附图是不按比例。
8引脚PSOP
引脚说明
领导
1
2
3
4
5
6
7
8
PAD
名字
V
CC
V
DDQ
V
TT
GND
EN_DDR
SENSE_V
TT
故障
SENSE_V
DDQ
GND
描述
输入电源。
V
DDQ
输出。
V
TT
输出端接电阻或V
REF
接地参考。
启用DDR电源。低电平有效输入。
检测输入的V
TT
铁路调整。
过流故障/ UVLO指示，低电平有效输出。
检测输入的V
DDQ
铁路调整。
绑到参考地。
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11/12/04
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