CM3109
性能信息（续）
典型的热特性
总的结点至环境的热阻
(
θ
JA
）的器件功耗（P
D
）由prima-
rily的串联的两个路径。第一路径是该结
到的情况下（
θ
JC
），它是由包装样式定义
和所述第二路径是壳体至环境（
θ
CA
）热
电阻，这是依赖于电路板布局。该
最后的工作结温为任何一组CON组
ditions可以由以下的热方程来估计
化：
T
JUNC
= T
AMB
+ P
D
(
θ
JC
) + P
D
(
θ
CA
)
= T
AMB
+ P
D
(
θ
JA
)
当一个CM3109-00SB / SH （ PSOP ）被安装在一个
具有两个正方形双面印刷电路板
英寸的铜分配"heat spreading"的
RESULTING
θ
JA
40 ° C / W 。基于以上温度
150℃ TURE限制为85 ° C时，可用的环境
这套能电力将是：
P
D
= （ 150℃ -85 ℃） / 40 ° C / W = 1.625W
DDR内存的应用
由于输出电压是1.25V ，并且该器件可以
从V无论是源电流
DDQ
或沉到目前
地面上，电力消耗在设备在任何时间
是1.25V倍的电流负载。这意味着马克西
妈妈电流（任意方向）的平均有效值是1.3A
对于CM3109-00SB / SH 。最大瞬时
当前被指定在图2A中，所以这个条件不应该
超过65 ％的时间。它是在极不可能
DDR内存最大使用量，这可能会发生，
因为这意味着DDR内存输出或者是
所有的高或低都为65 ％的时间。
如果环境温度为40℃而不是85 ℃，
它通常是最大的，在大多数的DDR存储器
应用中，功率耗散（P
D)
可2.75W 。
所以最大RMS电流增大，从1.3A到
2.2A 。因此，最大连续电流可
2A所有的时间。
图12.占空比与环境
温度（I
负载
= 2A)
图13.占空比与输出
电流（温度= 70 ° C）
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01/15/04
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