CM3106
性能信息（续）
典型的热特性（标称条件，除非另有说明）
总的结点至环境的热阻
(
θ
JA
）的器件功耗（P
D
）由prima-
rily的串联的两个路径。第一路径是该结
到的情况下（
θ
JC
），它是由包装样式定义
和所述第二路径是壳体至环境（
θ
CA
）热
电阻，这是依赖于电路板布局。该
最后的工作结温为任何一组CON组
ditions可以由以下的热方程来估计
化：
T
JUNC
= T
AMB
+ P
D
(
θ
JC
) + P
D
(
θ
CA
)
= T
AMB
+ P
D
(
θ
JA
)
当一个CM3106-12SN安装在双面
与2平方英寸铜的印刷电路板
分配用于"heat spreading" ，将所得
θ
JA
is
151 ° C / W 。基于150℃的整个温度范围内限制
为70 ℃的环境中，这可用功率
包将是：
P
D
= （ 150 °C - 85°C ） / 151 ℃/ W = 0.43W
自从
θ
JA
在CM3106-12SB （ PSOP ）为40 ° C / W ，
可用功率的这个包是：
P
D
= （ 150 °C - 85°C ） / 40 ° C / W = 1.625W
DDR内存的应用
由于输出电压是1.25V ，并且该器件可以
从V无论是源电流
DD
或沉到目前
地面上，电力消耗在设备在任何时间
是1.25V倍的电流负载。这意味着该
最大平均RMS电流（在任一方向）是
0.344A的CM3106-12SN和1.3A的
CM3106-12SB 。最大瞬时电流为
在图2A中指定，所以这一条件不应该
超出的时间为17％以上
CM3106-12SN和65 ％的时间为CM3106-
12SB 。它是DDR的大多数使用极不可能的MEM
储器，这可能会发生，因为这意味着DDR
内存输出或者是所有的高或低都为17 ％
时间（ SOIC ）和65 ％ （ PSOP ） 。
如果环境温度为40℃而不是85 ℃，
它通常是最大的，在大多数的DDR存储器
应用中，功率耗散（P
D
）可0.73W ，
为CM3106-12SN和2.75W的CM3106-
12SB 。这样的最大平均电流有效值
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02/02/04
增加了从0.42A到0.58A的CM3106-12SN
和2A的最大瞬间电流应
不能超出的时间超过29 ％ 。为
CM3106-12SB ，目前最大RMS增加
从1.3A到2.2A 。因此，最大连续电流
租金可以2A所有的时间。
图10.占空比与环境
温度（I
负载
=2.0A)
图11.占空比与输出
电流（温度= 70 ° C）
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