初步
CM3018
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
ESD保护( HBM )
引脚电压
V
IN
(引脚1)
EN (引脚3 )
V
OUT
(引脚5 )
存储温度范围
工作温度范围
环境
连接点
功率耗散(注1,2 )
等级
+2000
[ GND - 0.6 ]到[ 6.0 ]
[ GND - 0.6 ]到[V
IN
+ 0.6]
[ GND - 0.6 ]到[V
IN
+ 0.6]
-65到+150
-40至+85
0至130
内部限制
单位
V
V
V
V
°C
°C
°C
W
注1: CM3018包含一个热过载电路,自动禁用该设备,从而防止过度junc-
化温度。例如,采用SOT23-5封装装置安装在一个典型的多层电路板用适度的热
传播铜面积( 2平方英寸)将允许多达0.315W安全地消散,维持一个安全的工作温
perature 。请与厂家热评定援助咨询。
注2 : CAMD咨询技术支持以获得详细的功耗信息的CM3018封装在SOT23
和CSP封装。
标准工作条件
参数
V
IN
工作温度范围
负载电流
C
OUT
等级
2.7〜5.5
-40至+85
0到+150
1
±20%
单位
V
°C
mA
µF
©
2004年加利福尼亚微设备公司保留所有权利。
4
430 N.麦卡锡大道,加利福尼亚州米尔皮塔斯95035-5112
▲
联系电话: 408.263.3214
▲
传真: 408.263.7846
▲
www.calmicro.com
07/29/04