&0
3HUIRUPDQFH ， QIRUPDWLRQ FRQW¶G
7 \\ SLFDO 7KHUPDO &KDUDFWHULVWLFV
总的结点至环境的热阻
(θ
JA
）的器件功耗（P
D
）由prima-
rily的串联的两个路径。第一路径是该结
到的情况下（ θ
JC
），它是由包装样式定义
和所述第二路径是区分于环境温度（ θ
CA
）热
电阻，这是依赖于电路板布局。该
最后的工作结温为任何一组CON组
ditions可以由以下的热方程来估计
化：
T
JUNC
= T
AMB
+ P
D
∗
(θ
JC
) + P
D
∗
(θ
CA
)
= T
AMB
+ P
D
∗
(θ
JA
)
该CM3014采用SOT23-5封装。当此
封装安装在双面印制电路上
板2平方英寸铜的分配
"heat spreading" ，将所得
θ
JA
175 ° C / W 。
以320MW的最大功耗
（负载X VIN-VOUT = 150毫安X 2.2V ）与环境
70℃下将得到的结温为：
地电流[UA ]
输出电压随温度变化（ 1mA负载）
50
40
输出变化[mV ]
30
20
10
0
-10
-20
-30
-40
-50
-50
-25
0
25
50
o
75
100 125
温[C]
地电流与温度的关系
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
o
T
JUNC
= T
AMB
+ P
D
∗
(θ
JA
)
= 70 ° C + 315MW
∗
(175°C/W)
= 70°C + 57.75°C = 127.75°C
7KHUPDO FKDUDFWHULVWLFV ZHUH PHDVXUHG XVLQJ ð GRXEOH
VLGHG ERDUG ZLWK WZR VTXDUH LQFKHV RI FRSSHU DUHD
FRQQHFWHG WR WKH * 1 ' SLQV IRU ³KHDW VSUHDGLQJ' ？
测量显示性能达到一个结
在轻负载下进行125 ° C的温度
条件（ 1毫安） 。这允许环境温度
有代表性的内部结温的
真实存在。
注意：
与使用多层电路板建设
单独的接地层和电源层，将进一步提升
整体散热性能。在没有的情况下
铜的面积被专门用于热扩散，一
仅使用最小的多层电路板结构
尺寸键盘的布局通常会提供与CM3014
总体
θ
JA
为175℃ / W，这允许最多为450mW
安全地消散。
3OHDVH FRQVXOW & 0美元“ 7HFKQLFDO 6XSSRUW IRU DVVLVWDQFH
ZLWK WKHUPDO DQDO \\ VLV RI WKH &0 ???? ZLWK UHVSHFW WR ð
VSHFLILF DSSOLFDWLRQ ？
125
结温[C]
） LJXUH ？ &0 ???? 3HUIRUPDQFH YV ？ 7HPSHUDWXUH
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