CM2021
规格（续）
电气运行特性
符号
I
CC5
I
CC3
I
关闭
I
拖
参数
工作电源电流
偏置电源电流
OFF状态泄漏电流，
电平转换NFET
从输出电流进行
引脚V_SUPPLY轨时
断电
条件
5V_SUPPLY = 5.0V
3.3V_SUPPLY = 3.3V
3.3V_SUPPLY = 0V
5V_SUPPLY
＆ LT ;
V
CH_OUT
;
信号引脚： TMDS_ [2：0 ] +/-
TMDS_CK +/- ， CE_REMOTE_OUT ，
DDC_DAT_OUT ， DDC_CLK_OUT ，
HOTPLUG_DET_OUT只有
3.3V_SUPPLY = 2.5V ，V
S
= GND ，
I
DS
= 3毫安
I
F
= 8毫安，T
A
= 25 ° C，注2
75
民
典型值
110
1
0.1
0.1
最大
130
5
5
5
单位
µA
µA
µA
µA
V
ON
V
F
跨级别的电压降
NFET转移开时
二极管的正向电压
顶二极管
底部的二极管
ESD耐受电压（ IEC ）
95
140
mV
0.6
0.6
0.85
0.85
0.95
0.95
V
V
kV
V
ESD
引脚4 ， 7,10,13 ， 20 ， 21 ， 22 ， 23 ， 24 ，
27, 30, 33;
注意到图2和3
引脚1 ， 2 ， 16 ， 17 ， 18 ， 19 ， 37 ;
注意到2,4
T
A
= 25 ° C，注2和4
±
8
±
2
V
ESD
V
CL
ESD耐压
（ HBM）的
通道钳位电压@
8kV的ESD HBM
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
TMDS信道泄漏电流
租金
TMDS通道输入
电容
C
IN
匹配电容
kV
9.0
-9.0
I = 1A ，T
A
= 25 ° C， 5注
3.0
1.5
0.01
0.9
1
1.2
V
V
Ω
Ω
µA
pF
R
DYN
I
泄漏
C
IN，
TMDS
T
A
= 25 ° C，注2
5V_SUPPLY = 5.0V ，
测量频率为1MHz ，
V
BIAS
= 2.5V ，注2
5V_SUPPLY = 5.0V ，
测量频率为1MHz ，
V
BIAS
= 2.5V ，注2 ，第6
5V_SUPPLY = 0V
测量频率为1MHz ，
V
BIAS
= 2.5V ，注2
5V_SUPPLY = 0V
测量100KHz的，
V
BIAS
= 2.5V ，注2
∆
C
IN，
TMDS
C
互
0.05
pF
之间的互电容
信号引脚和NC引脚
电平转换输入电容
tance ，电容到GND
0.07
pF
C
IN，
DDC
3.5
4
pF
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4
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03/22/05
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