CM2021-02TR
电气工作特性（续）
（见注1 ）
V
ESD
ESD耐受电压（ IEC ）
引脚4 ， 7,10,13 ， 20 ， 21 ， 22 ， 23 ， 24 ，
27, 30, 33;
注意到图2和3
T
A
= 25 ° C，I
PP
= 1A ，T
P
= 8/20μs;
注意到2,4
T
A
= 25 ° C，I
PP
= 1A ，T
P
= 8/20μs;
注意到2,4
T
A
= 25°C;
注2
5V_SUPPLY = 5.0V ，
测量频率为1MHz ，
V
BIAS
=2.5V;
注2
5V_SUPPLY = 5.0V ，
测量频率为1MHz ，
V
BIAS
=2.5V;
注2和5
5V_SUPPLY = 5V ，
测量100KHz的，
V
BIAS
=2.5V;
注2
5V_SUPPLY = 5V ，
测量100KHz的，
V
BIAS
=2.5V;
注2
5V_SUPPLY = 5V ，
测量100KHz的，
V
BIAS
=2.5V;
注2
±
8
kV
V
CL
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
动态电阻
积极瞬变
负瞬态
TMDS信道泄漏
当前
TMDS通道输入
电容
11.0
–2.0
1.2
0.9
0.01
0.9
1
1.2
V
V
Ω
Ω
μA
pF
R
DYN
I
泄漏
C
IN，
TMDS
Δ
C
IN，
TMDS
TMDS通道输入
电容匹配
0.05
pF
C
IN，
DDC
电平转换输入
电容，电容为
GND
电平转换输入
电容，电容为
GND
电平转换输入
电容，电容为
GND
3.5
4
pF
C
IN，
CEC
3.5
4
pF
C
IN，
HP
3.5
4
pF
注1 ：经营特点是在标准工作条件，除非另有说明。
注2 ：此参数由设计和器件特性验证。
注3 ：标准IEC 61000-4-2 ，C
放电
= 150pF的，R
放电
=330
Ω
， 5V_SUPPLY和LV_SUPPLY在推荐
操作条件下， GND = 0V，每个旁路用0.1
μ
F的陶瓷电容连接到GND 。
注4 ：与ESD_BYP没有外部电容进行这些测量。
注5 ：对内匹配，每个TMDS对（即D + ， D-）
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问题B - 08年7月14日
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