加利福尼亚微设备公司
CC
薄膜MNOS电容系列
加利福尼亚微设备？ CC系列薄膜的顶部和底部接触电容提供了一个非常稳定和精确的
成分为各种混合微电子应用。 CC电容器可在一个广阔的范围内的值，并
公差。氮化硅/二氧化硅的介电特性高的Q值和低的正TCC在宽的温度
范围内。每种格式具有定义的接合面积。
工作温度范围
ð .C 。工作电压25°C
峰值电压@ 25°C
ð issipation因子@ 1kHz时， 1V ，25°C
Q @ 1兆赫， 50毫伏，25°C
电容（ TCC ）的温度系数， -55 ° + 150°C
电气规格
参数
-55 ° C至+ 125 °
由于SPE CI网络E D I N C / V T A B L E
1.5 X工作电压
0.1 ％最大
1000 MIN
± 50P P M /°C的
测试条件
基板
靠山
金属化
机械的特定网络阳离子
硅10±2密耳厚
走升ð
铝10,000A厚，分
格式
焊盘？ 5密耳
2
合区
两平方英寸的纸盘最大400芯片。
包装
格式化
20 ×20的MILS
格式B
30× 30密耳
格式化C
40 ×40的MILS
格式☐
55 ×55 MILS
皮法
4.7
5.6
6.8
10
12
15
51
56
62
容量和额定电压
伏
皮法
伏
皮法
伏
皮法
20× 20密耳FORMAT A
40 X 40 - MILS排版C
200
200
150
10 0
10 0
80
80
80
70
18
22
27
33
39
47
70
50
50
40
30
30
12 0
150
18 0
220
70
60
50
40
270
330
390
伏
30
30
30
30× 30密耳的格式乙
68
75
82
10 0
70
60
50
50
47 0
56 0
680
55 ×55 - MILS FORMATS ð
40
30
30
820
10 0 0
25
25
CC
系列
PART NUMBE ř DE SIGNATION
510
0
显著的数字
电容。
R表示小数点。
零的数目
加入signifiicant
科幻居雷什
公差
J = ±5%
≥
50pF
K = ±10%
≥
50pF
M + ±20%
≥
50PF
C0710300
J
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