工作原理
该SPT5510是分段的16位电流输出DAC 。
四个MSB ， D15- D12，被解码以15单元电池
（汇电流） 。其余位（ D11 - D0 ）是二进制;
比特D9〜 D0的是衍生自R-2R梯形。所有细胞是
激光调整，最大精度。的框图
示的基本结构。
所有输出单元总是在，与所述数据确定
从我的给定单元格的当前是否被路由
OUT
还是我
OUT
.
这提供了几乎恒定的功率耗散indepen-
凹痕数据和时钟速率。这也降低了噪声瞬变
电源线和接地线。
参考循环利用的MSB加权细胞和亲
志愿组织的约16到输出的增益。片上为参考
ENCE放大器具有非常高的开环增益和偏移
修整，以提供非常低的温度漂移（典型
<10 PPM / °C增益漂移） 。
图1 - 典型接口电路
电源和接地
该SPT5510需要一个单一的-5.2V供电。所有
电源引脚连接到一个共同的片上功率总线和
应视为模拟电源。为了获得最好的解决per-
formance ，每个电源引脚的去耦如图所示
在图1 - 典型接口电路。
有三个独立的片接地总线。 DGND
引脚应该连接在一起，并连接到系统
地穿过铁氧体磁珠。 REFGND和OGND销
应直接连到SPT5510的地平面和
穿过铁氧体磁珠连接到系统地。这是
关键是REFGND和OGND非常紧密耦合，
任何差分信号（直流失调，噪声等）将
发送到输出端。两个OGND引脚可
从接地平面断开，并用作感
对于一个电流 - 电压转换器线，如图中
输出部分。
C13
20 pF的
C12
10 pF的
.01
µF
1K
50
47 pF的
47 pF的
1K
AV
EE
.01
µF
C7
R7
R9
C9
C10
22
20
12
19
16
AMP
INB
18
REFGND
REFGND
BG
OUT
R
SET
CLK
17
AMP
CC
AMP
B
15
9
AMP
OUT
1
2
3
4
5
6
7
D15
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
REF
IN
21
R10
50
R8
C8
I
OUT
41
输入
数据
8
25
26
27
28
29
30
31
32
SPT5510
36
I
OUT
OGND
DGND
OGND
OGND
OGND
DGND
DGND
DGND
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
AV
EE
44
10
24
33
40
42
35
37
39
43
11
R1
R2
10
R4
10
2.2
µF
2.2
µF
2.2
µF
2.2
µF
.01
µF
.01
µF
.01
µF
.01
µF
R6
10
C5
C6
.01
µF
R3
10
C14
C15
C17
C1
.01
µF
C2
C3
C16
C4
R5
10
10
C1- C13 - 表面贴装陶瓷芯片
C14 - C17 - 钽
R1 - R6 - 碳膜1/4 W¯¯
R7 - R10 - 表面贴装陶瓷芯片
FB - 铁氧体磁珠将被作为位于密切
到设备成为可能。
FB
AV
EE
13
14
23
34
38
AV
EE
C11
47 pF的
产量
产量
补充
SPT5510
4
9/27/00
CADEKA [ CADEKA MICROCIRCUITS LLC. ]
