CLC1003IST5X 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CLC1003IST5X
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内容描述：	低失真，低失调， RRIO放大器 [Low Distortion, Low Offset, RRIO Amplifier]
分类和应用：	放大器
文件页数/大小：	16 页 / 1953 K
品牌：	CADEKA [ CADEKA MICROCIRCUITS LLC. ]

数据表

应用信息

基本操作

图1和图2示出了典型电路配置为

非反相，反相和单位增益拓扑结构为双

电源应用。他们显示了建议的旁路

电容值和整体的闭环增益公式。

6.8μF

perature ，封装的热电阻值的Theta

(Ө

）沿着与总芯片功耗使用。

连接点

= T

环境

+ (Ө

× P

)

其中T

环境

是工作环境的温度。

为了确定P

时，电源中的负载耗散

需要被从发送的总功率减去

耗材。

= P

供应

- P

负载

供应功率由标准功率计算方程

化。

产量

COMLINEAR CLC1003

低失真，低失调， RRIO放大器

输入

0.1μF

供应

= V

供应

× I

RMS供应

供应

= V

S+

- V

S-

动力传递到一个纯电阻负载是：

负载

= ((V

负载

)

RMS

） / R负载

EFF

的有效负载电阻（ R负载

EFF

）将需要包括

反馈网络的效果。例如，

RLOAD

EFF

在图3将被计算为：

0.1μF

-V

6.8μF

G = 1 + （r

)

图1.典型的非反相增益电路

6.8μF

|| (R

+ R

)

这些测量是基本的并且是相对容易

与标准的实验室设备进行。对于设计的目的

然而，现有的实际信号电平与负载的知识

阻抗是需要的确定的耗散功率。

在这里， P

可以发现，从

= P

静

+ P

动态

- P

负载

G = - （R

)

为了达到最佳的输入失调

电压集合R

= R

|| R

输入

0.1μF

产量

0.1μF

6.8μF

-V

图2.典型的反相增益电路

静态功耗可从指定的I导出

val-

沿与已知的供电电压，V的UE

供应

。负载功率

可以计算如上述所希望的信号扩增

使用性向：

负载

)

RMS

= V

PEAK

/ √2

( I

负载

)

RMS

= ( V

负载

)

RMS

/ R负载

EFF

动态功率输出范围内主要集中

级驱动的负载。这个值可以被计算为：

动态

= (V

S+

- V

负载

)

RMS

× ( I

负载

)

RMS

假设负载在pow-的中间被引用

呃轨或V

供应

/2.

图3示出了在最大安全功耗

包装与环境温度的封装

可年龄。

冯1A

功耗

操作时的功耗不应该是一个因素

规定的300欧姆的负载条件下。然而， AP-

并发症低阻抗，直流耦合负载应

进行分析，以确保在允许的最大结

温度不超标。下面列出的准则可以

用于验证该特定的应用程序将不

造成设备运行超出它的预期operat-

ING范围。

最大功率电平是由绝对最大设定

150 ° C的结评级。为了计算结温

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