数据表
在非反相增益比G = 1等，保持ř
g
下面
为1kΩ ，以尽量减少峰值;因此，对于在一个最佳响应
+2的增益，为1kΩ的电阻反馈建议。
图5示出了AD8052LV频率响应
既为1kΩ和2kΩ的反馈电阻。
G=2
R
L
= 2kΩ
V
s
= +5V
P
负载
= ((V
负载
)
RMS
2
） / R负载
EFF
的有效负载电阻（ R负载
EFF
）将需要包括
反馈网络的效果。例如，
RLOAD
EFF
在图3将被计算为：
R
L
|| (R
f
+ R
g
)
C
omlinear
AD8052LV
低成本， + 2.7V至5.5V ，为260MHz ，轨到轨放大器
幅度（ 1分贝/ DIV ）
R
f
= 2kΩ
R
f
= 1kΩ
这些测量是基本的并且是相对容易
与标准的实验室设备进行。对于设计的目的
然而，现有的实际信号电平与负载的知识
阻抗是需要的确定的耗散功率。
在这里， P
D
可以发现，从
P
D
= P
静
+ P
动态
- P
负载
®
1
10
100
频率（MHz）
静态功耗可从指定的I导出
S
沿与已知的供电电压，V值
供应
。负载
功率可以计算如上述与所需信号
利用振幅：
(V
负载
)
RMS
= V
PEAK
/ √2
( I
负载
)
RMS
= ( V
负载
)
RMS
/ R负载
EFF
动态功率输出范围内主要集中
级驱动的负载。这个值可以被计算为：
P
动态
= (V
S+
- V
负载
)
RMS
× ( I
负载
)
RMS
假设负载中的中间的被引用
电源轨或V
供应
/2.
该AD8052LV短路保护。然而，这可能
不能保证最高结温
（ + 150°C ），是不是所有的条件下超标。图6
示出了在包中的最大安全功耗
相对于环境温度为可用的软件包。
2.5
图5 ：频率响应与ř
f
功耗
操作时的功耗不应该是一个因素
规定的2kΩ的负载条件下。然而，应用程序
具有低阻抗，直流耦合负载应分析
确保最大允许结温
不超标。下面列出的准则可以用于
验证该特定的应用不会导致
设备超越其经营的预期的操作范围。
最大功率电平是由绝对最大设定
150 ° C的结评级。计算结
温度，封装的热电阻值
THETA
JA
(Ө
JA
）与总功率管芯一起使用
耗散。
T
连接点
= T
环境
+ (Ө
JA
× P
D
)
其中T
环境
是工作环境的温度。
为了确定P
D
时，电源中的负载耗散
需要被从发送的总功率减去
耗材。
P
D
= P
供应
- P
负载
供应功率由标准功率计算
方程。
P
供应
= V
供应
× I
RMS供应
V
供应
= V
S+
- V
S-
动力传递到一个纯电阻负载是：
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最大功率耗散（ W）
2
冯1A
1.5
1
SOIC-8
0.5
0
-40
-20
0
20
40
60
80
环境温度（ ℃）
图6.最大功率降额
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