BD6888
高性能 CCM+QR绿色节能 PWM 控制器
BO、Line_OVP 和输出 OVP 检测
BD6888 提供了精确的线电压欠压、过压和输出过压保护功能，此功能通过 DEM 脚进
行检测。在功率 MOS 管开启时，辅助绕组的正端为负电压，此时内部电路将 DEM 脚电压
嵌位到0.1V，因此从DEM引脚流出的电流正比于输入电压值，通过内部设定的基准电流与
DEM 引脚流出的电流进行比较实现精确的线电压欠压和过压保护功能。在功率 MOS 管关
断时，辅助绕组正端电压与输出电压相关，通过电阻分压接到 DEM 引脚，与内部的基准电
压进行比较，实现精确的输出 OVP 保护。
谷底检测
在功率 MOS 关断后，辅助绕组正端电压由负电压变为正电压，变压器进入退磁阶段，
当退磁结束后，辅助绕组正端的电压开始下降并以一定的谐振频率开始振荡，此时通过检
测 DEM 引脚的电压来检测谷底，当检测到内部振荡器的下降沿到来后的下一个谷底时，功
率 MOS 的下一个导通周期开始。
软启动
VDD 电源启动瞬间，BD6888 芯片内部都将触发软启动功能，即在 VDD 电压达到
UVLO_OFF 以后，在大约 2.5ms 时间内，峰值电流从 0 上升到最大值峰值电流，以减少电源
启动期间功率管电压应力。注意：无论何种保护导致的 VDD 再次启动，都必将触发软启动
功能。
前沿消隐 (LEB)
开关管的每次开启不可避免带来开关毛刺，它通过 RCS 采样后，对内部逻辑电路带来
干扰，引起内部寄存器的误动作。为了消除开关毛刺的影响，BD6888 中设计了 300ns 的前
沿消隐电路，它可以代替传统的外接 RC 滤波电路，简化外围设计。
功率输出
BD6888 采用特殊的驱动输出，采用软驱动模式，降低功率 MOSFET 开关噪声，同时
减小了功率 MOSFET 开关损耗。同时内部振荡器采用抖动方式，降低工作噪声，简化 EMI
设计。
保护功能
BD6888 提供了丰富的保护功能，比如 cycle-by-cycle 电流限制、UVLO、输出二极管
短路保护、OTP 和 OVP 等。
深圳市巴丁微电子有限公司
0755-23505821
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