BD6610
多模式、恒流恒压原边控制功率开关
在手机充电器的应用中，电池与充电器之间一般会
通过一定长度的电缆相连，由此也将导致输送到电
池端的电压产生一定的电压降。如图 5 所示，在
BD6610 内部存在由线损补偿模块控制的可调式电
流源流出到与 FB 管脚相连的分压电阻上并产生一
定的电压偏置信号。此电流正比于开关周期，而反
比于输出功率，所以在电缆上的电压降可以被补偿
掉。随着负载功率的降低，在 FB 上的偏置电压将
逐渐提高。通过调节分压电阻 R1 和 R2 的阻值可
以调节实际补偿量的大小。最大的线补电压与输出
电压基准的比例如下：
无异音工作
如上所述，在恒压输出模式中芯片采用了调频控制
与调幅控制结合的多模式控制技术，同时在 CS 管
脚有一电流源流出调节 CS 电压信号。利用以上技
术，BD6610 可实现由满载到空载全程无异音工作。
短路保护（SLP）
在 BD6610 内部，输出电压通过 FB 管脚实时采样
并与欠压保护阈值（典型值 0.7V）相比。
当采样到的 FB 电压低于 0.7V 且持续时间超过
10ms 时，芯片将进入到短路保护模式，并自动重
启。
V(cable) Icable_max
R1//R2
100%
Vout
VFB_REF
比如：R1=3KΩ、R2=18KΩ，则：
53uA 3K//18K
VDD 过压保护（OVP）和箝位
100% 8.1%
V(cable)
当 VDD 电压超过 30V（典型值）时，芯片立即停
止开关动作。之后将导致 VDD 下降，当 VDD 电压
低于关断电压 VDD_OFF （典型值 9V）时，系统
将重新启动。在芯片内部设计有 34.5V（典型值）
的箝位电路以防止芯片受损。
Vout
2V
过温保护（OTP）
BD6610
当芯片结温超过 165 ℃,芯片停止开关动作，VDD
不断重启；直到芯片结温低于 135 ℃时，芯片才能
恢复开关动作。
软驱动
BD6610 设计的软驱动功能的驱动电路优化了系统
EMI 性能。IC 内部设计有 Gate 高电平 16V 箝位电
路，以防止高 VDD 输入时 Gate 受损。
图 5
优化的动态响应
BD6610 优化设计的动态响应性能，可满足 USB
充电器的要求。
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0755-23505821
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BULGIN [ ELEKTRON COMPONENTS LTD. ]
