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    BS616LV1611TIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV1611TIG55图片预览
    型号： BS616LV1611TIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 1M ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 1M X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 227 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BS616LV1611TIG55的Datasheet PDF文件第11页  
    BS616LV1611
    订购信息
    BS616LV1611
    X
    X
    Z
    YY
    速度
    55 ： 55ns
    PKG材料
    G：绿色，符合RoHS
    GRADE
    o
    o
    I： -40℃ 〜 + 85℃
    包
    F： BGA - 48-0912
    T： TSOP I- 48
    注意：
    BSI （百联半导体公司）承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI呢
    没有授权其产品使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期导致的任何应用程序
    在显著伤害或死亡，其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
    包装尺寸
    0.25±0.05
    注意事项：
    1：控制尺寸以毫米为单位。
    2 ： PIN ＃ 1点阵打标用激光或移印。
    3 ： SYMBOL "N" IS焊球的数量。
    1.4最大。
    SIDE VIEW
    D
    3.375
    0.1
    N
    48
    D
    12.0
    E
    9.0
    D1
    5.25
    E1
    3.75
    e
    0.75
    D1
    锡球0.35
    ±0.05
    e
    视图A
    48微型BGA （9毫米x 12毫米）
    2.625
    E±0.1
    E1
    R0201-BS616LV1611
    9
    调整
    2.4
    十月
    2008

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