超低功耗CMOS SRAM
128K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616LV2019
特点
宽V
CC
工作电压： 2.4V 〜 3.6V
极低的功耗：
工作电流： 25毫安为55ns （最大）
V
CC
= 3.0V
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 3 / 5UA （最大）在八十五分之七十ç
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=2.7~3.6V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=2.4~3.6V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616LV2019是一款高性能，低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为131,072和
经营形成了广泛的2.4V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
3 / 5UA在3V的电流八十五分之七十○ ℃，最大访问时间
55/70ns.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616LV2019具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616LV2019可在DICE的形式， JEDEC标准
48引脚TSOP I型封装， 48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616LV2019DC
BS616LV2019AC
BS616LV2019TC
BS616LV2019AI
BS616LV2019TI
产业
O
O
-40°C至+ 85°C
5.0uA
2mA
10mA
25mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
1MHz
V
CC
=3.0V
10MHz
广告
O
O
0 ℃〜 + 70℃
骰子
3.0uA
1.5mA
9mA
23mA
BGA-48-0608
TSOP I- 48
BGA-48-0608
TSOP I- 48
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
NC
GND
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
GND
CE
A0
框图
BS616LV2019TC
BS616LV2019TI
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A15
A14
A13
A12
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 2048
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE2,CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A16 A0
A1
A2
A3
A4
A5
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616LV2019
1
调整
1.4
十月
2008
BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
