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    BS616LV2023AC 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV2023AC图片预览
    型号： BS616LV2023AC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 250 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV2023AC的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI
    DC电气特性
    （ TA = 0
    o
    C至+70
    o
    C)
    参数
    名字
    V
    IL
    V
    IH
    I
    IL
    I
    OL
    V
    OL
    V
    OH
    I
    CC
    BS616LV2023
    参数
    保证输入低
    电压
    (2)
    保证输入高
    电压
    (2)
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出低电压
    输出高电压
    测试条件
    Vcc=3.0V
    Vcc=3.0V
    MIN 。 TYP 。
    (1)
    马克斯。
    -0.5
    2.0
    --
    --
    --
    2.4
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    --
    0.8
    Vcc+0.2
    1
    1
    0.4
    --
    20
    单位
    V
    V
    uA
    uA
    V
    V
    mA
    VCC =最大，V
    IN
    = 0V至VCC
    VCC =最大， CE1 = V
    IH
    或CE2 = V
    IL
    或OE = V
    IH
    ,
    V
    I / O
    = 0V至VCC
    VCC =最大，我
    OL
    = 2毫安
    VCC =最小，我
    OH
    = -1mA
    Vcc=3.0V
    Vcc=3.0V
    工作电源Vcc =最大， CE1 = V
    IL
    ， CE2 = V
    IH
    当前
    I
    DQ
    = 0毫安， F =最大频率
    (3)
    VCC =最大， CE1 = V
    IH
    或CE2 = V
    IL
    I
    DQ
    = 0毫安
    Vcc=3.0V
    I
    CCSB
    待机电流
    TL
    Vcc=3.0V
    --
    --
    1
    mA
    I
    CCSB1
    待机电流
    MOS
    VCC =最大， CE1 VCC- 0.2V或
    Vcc=3.0V
    CE2 0.2V ，
    其他投入的Vcc - 0.2V或V
    IN
    0.2V
    --
    0.1
    0.7
    uA
    1.典型的特点是在TA = 25
    o
    C.
    2.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试通知过冲。
    3.的Fmax = 1 /吨
    RC
    .
    R0201-BS616LV2023
    4
    修订版2.4
    2002年4月

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