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BH62UV1601AIG55 参数 Datasheet PDF下载

BH62UV1601AIG55图片预览
型号: BH62UV1601AIG55
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 217 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH62UV1601
低V
CC
数据保存波形图( 2 ) ( CE2控制)
数据保持方式
V
DR
≧1.0V
V
CC
V
CC
V
CC
t
CDR
CE2≦0.2V
t
R
CE2
V
IL
V
IL
AC测试条件
(测试负载和输入/输出参考)
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
t
CLZ1
, t
CLZ2
, t
OLZ
, t
CHZ1
,
t
CHZ2
, t
OHZ
, t
WHZ
, t
OW
输出负载
OTHERS
V
CC
/ 0V
1V/ns
0.5Vcc
C
L
= 5pF的+ 1TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL
所有的输入脉冲
1 TTL
产量
C
(1)
L
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从“H”变为“L”
可能改变
从“ L”变为“ H”时
不在乎
任何改变
许可
申请
输出
必须是
稳定
将改变
从“H”变为“L”
将改变
从“ L”变为“ H”时
变化:
州UNKNOW
中心线
高Inpedance
“关”状态
V
CC
GND
10%
90%
90%
10%
→ ←
上升时间:
1V/ns
→ ←
下降时间:
1V/ns
1.包括夹具和范围电容。
AC电气特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
读周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
芯片选择访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
片选到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
芯片选择到输出高Z
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
(CE1)
(CE2)
周期时间: 55ns
(V
CC
= 3.0V)
分钟。典型值。马克斯。
55
--
--
--
--
10
10
5
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
55
55
55
30
--
--
--
25
25
25
--
周期:为70ns
(V
CC
= 1.8V)
分钟。典型值。马克斯。
70
--
--
--
--
10
10
10
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
70
30
--
--
--
35
35
30
--
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQX
t
E1LQV
t
E2HQV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2HQX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2LQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
R0201-BH62UV1601
4
调整
1.2
10月
2008