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    BH62UV8001DIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV8001DIG55图片预览
    型号： BH62UV8001DIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 8 bit]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 148 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV8001DIG55的Datasheet PDF文件第9页  
    BH62UV8001
    n
    订购信息
    BH62UV8001
    X
    X
    Z
    YY
    速度
    55 ： 55ns
    PKG材料
    - ：正常
    G：绿色，符合RoHS
    GRADE
    I: -40
    o
    C ~ +85
    o
    C
    包
    D： DICE
    答： BGA - 48-0608
    注意：
    百联半导体公司（ BSI）对于本文档中描述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI呢
    没有授权其产品使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期导致的任何应用程序
    在显著伤害或死亡，其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
    n
    包装尺寸
    注意事项：
    1：控制尺寸以毫米为单位。
    2 ： PIN ＃ 1点阵打标用激光或移印。
    3 ： SYMBOL "N" IS焊球的数量。
    1.2最大。
    球间距E = 0.75
    D
    8.0
    E
    6.0
    N
    48
    D1
    5.25
    E1
    3.75
    D1
    e
    视图A
    48微型BGA （6× 8）的
    E1
    R0201-BH62UV8001
    8
    修订版1.1
    五月
    2006

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