欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BH62UV8000AI 参数 Datasheet PDF下载

BH62UV8000AI图片预览
型号: BH62UV8000AI
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 127 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH62UV8000AI的Datasheet PDF文件第9页  
BSI
n
DC电气特性(T
A
= -25℃到+ 85℃ )
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
1.
2.
3.
4.
5.
(5)
BH62UV8000
O
O
参数
电源
输入低电压
输入高电压
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
操作
当前
动力
供应
测试条件
分钟。
1.65
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
典型值。
(1)
--
--
--
--
--
--
--
4.5
5.0
1.0
1.5
--
2.5
2.5
马克斯。
3.6
0.4
0.8
V
CC
+0.3
(3)
1
1
0.2
0.4
--
7
10
1.5
2.0
0.5
1.0
12
15
单位
V
V
V
uA
uA
V
V
mA
mA
mA
uA
-0.3
(2)
1.4
2.0
--
--
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
V
CC
=最大,我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大,我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小,我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小,我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
, CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中,f = F
MAX(4)
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安, F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
--
V
CC
-0.2
2.4
--
--
--
--
工作电源
当前
待机电流
TTL
待机电流
CMOS
典型的特征是在T
A
=25
O
C.
冲: -1.0V的情况下,脉冲宽度小于20纳秒。
过冲: V
CC
+ 1.0V的情况下,脉冲的宽度小于20纳秒。
F
最大
=1/t
RC 。
I
CCSB1(MAX.)
是为10uA / 13uA在V
CC
= 1.8V / 3.6V和T
A
=0
O
C ~ 70
O
C.
O
O
n
数据保持特性(T
A
= -25℃到+ 85℃ )
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
测试条件
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=1.0V
V
CC
=2.0V
分钟。
1.0
--
0
典型值。
(1)
--
0.5
2.5
--
--
马克斯。
--
3.0
12
--
--
单位
V
uA
ns
ns
t
CDR
t
R
见保留波形
t
RC (2)
1. T
A
=25
O
C.
2. t
RC
=读周期时间。
3. I
CCDR ( MAX 。 )
为2.5uA /为10uA在V
CC
= 1.0V / 2.0V和T
A
=0
O
C ~ 70
O
C.
n
低V
CC
数据保存波形图( 1 ) ( CE1控制)
数据保持方式
V
CC
V
IH
V
CC
V
DR
≧1.0V
V
CC
t
CDR
CE1≧V
CC
- 0.2V
t
R
V
IH
CE1
R0201-BH62UV8000
3
修订版1.0
七月
2005