超低功耗/高速CMOS SRAM
512K ×8位
绿色包装材料,符合RoHS
BH62UV4000
n
特点
Ÿ
宽V
CC
低工作电压: 1.65V 〜 3.6V
Ÿ
超低功耗:
V
CC
= 3.6V
工作电流: 10毫安为55ns (最大)
2毫安(最大) ,以1MHz
待机电流: 2.0uA (典型值) ,在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流: 1.0uA 25
O
C
Ÿ
高速存取时间:
-55
55ns (最大)在V
CC
=1.65~3.6V
Ÿ
自动断电,当芯片被取消
Ÿ
易于扩展CE和OE选项
Ÿ
三态输出与TTL兼容
Ÿ
全静态操作,没有时钟,没有刷新
Ÿ
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH62UV4000是一款高性能,超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由8位, 524,288和
在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点,与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.6V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
( CE)和低电平有效输出使能( OE )和三态输出
驱动程序。
该BH62UV4000具有自动断电功能,降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH62UV4000是DICE的形式提供, JEDEC标准的32引脚
450mil塑料SOP , TSOP 400mil -II , 600mil塑料DIP ,
8mmx13.4mm STSOP , 8mmx20mm TSOP和36 - BGA球
封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BH62UV4000DI
BH62UV4000EI
BH62UV4000HI
BH62UV4000PI
BH62UV4000SI
BH62UV4000STI
BH62UV4000TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
10uA
10uA
2mA
6mA
10mA
1.5mA
5mA
8mA
操作
温度
ICC待机
(I
CCSB1
,最大值)
国际刑事法院工作
(I
CC
,最大值)
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
1MHz
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
TSOP -II
BGA-36-0608
PDIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
n
销刀豆网络gurations
n
框图
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
GND
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
•
BH62UV4000STI
BH62UV4000TI
1
2
A1
A11
A9
A8
A13
WE
A17
A15
VCC
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
4096
3
NC
4
A3
5
A6
6
A8
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
BH62UV4000EI
8
BH62UV4000PI
9
BH62UV4000SI
10
11
12
13
14
15
16
•
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A
A0
B
DQ4
A2
WE
A4
A7
DQ0
C
DQ5
NC
A5
DQ1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
8
数据
输入
卜FF器
8
8
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
512
列解码器
9
8
数据
产量
卜FF器
D
VSS
VCC
E
VCC
VSS
F
DQ6
A18
A17
DQ2
G
DQ7
OE
CE
A16
A15
DQ3
CE
WE
OE
V
CC
GND
控制
地址输入缓冲器
A18 A16 A15 A14 A0 A17 A3 A2 A1
H
A9
A10
A11
A12
A13
A14
36球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格,恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH62UV4000
1
修订版1.2
八月
2006