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    BH616UV8011AIG70 参数 Datasheet PDF下载

    BH616UV8011AIG70图片预览
    型号： BH616UV8011AIG70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 234 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BH616UV8011AIG70的Datasheet PDF文件第10页  
    BH616UV8011
    读周期2
    (1,3,4)
    CE1
    t
    ACS1
    CE2
    t
    ACS2
    (6)
    t
    CLZ
    (5,6)
    t
    CHZ
    (5, 6)
    D
    OUT
    读周期3
    (1, 4)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    OE
    t
    OE
    CE1
    t
    CLZ1
    (5)
    CE2
    t
    CLZ2
    (5)
    LB ， UB
    t
    OLZ
    t
    ACS1
    t
    CHZ
    (1,5)
    t
    OHZ
    (5)
    t
    OH
    t
    ACS2
    t
    BA
    t
    BE
    t
    CHZ2
    (2,5)
    t
    BDO
    D
    OUT
    注意事项：
    1.我们是高读周期。
    2.设备不断选择当CE1 = V
    IL
    和CE2 = V
    IH
    .
    3.地址有效之前或重合CE1过渡低和/或CE2过渡高。
    4. OE = V
    IL
    .
    5.转换测量
    ±
    为500mV从稳定状态用C
    L
    = 5pF的。
    该参数是保证，但不是100 ％测试。
    R0201-BH616UV8011
    6
    调整
    1.2
    十月
    2008

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