欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BS62LV4008TI-55 参数 Datasheet PDF下载

BS62LV4008TI-55图片预览
型号: BS62LV4008TI-55
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 374 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第9页  
BSI  
BS62LV4008  
READ CYCLE2 (1,3,4)  
CE  
t
ACS  
(5)  
CHZ  
t
(5)  
t
CLZ  
D OUT  
READ CYCLE3 (1,4)  
t
RC  
ADDRESS  
OE  
t
AA  
t
OH  
t
OE  
t
OLZ  
CE  
(5)  
t
ACS  
t
t
OHZ  
(1,5)  
CHZ  
(5)  
CLZ  
t
D OUT  
NOTES:  
1. WE is high in read Cycle.  
2. Device is continuously selected when CE = VIL  
3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.  
4. OE = VIL  
5. The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
.
.
Revision 1.1  
Jan. 2004  
R0201-BS62LV4008  
5