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    BS62LV4008TI-55 参数 Datasheet PDF下载

    BS62LV4008TI-55图片预览
    型号： BS62LV4008TI-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非常低的功率/电压CMOS SRAM 512K ×8位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 374 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS62LV4008TI-55的Datasheet PDF文件第9页  
    BSI  
    BS62LV4008  
    READ CYCLE2 (1,3,4)  
    CE  
    t
    ACS  
    (5)  
    CHZ  
    t
    (5)  
    t
    CLZ  
    D OUT  
    READ CYCLE3 (1,4)  
    t
    RC  
    ADDRESS  
    OE  
    t
    AA  
    t
    OH  
    t
    OE  
    t
    OLZ  
    CE  
    (5)  
    t
    ACS  
    t
    t
    OHZ  
    (1,5)  
    CHZ  
    (5)  
    CLZ  
    t
    D OUT  
    NOTES:  
    1. WE is high in read Cycle.  
    2. Device is continuously selected when CE = VIL  
    3. Address valid prior to or coincident with CE transition low.  
    4. OE = VIL  
    5. The parameter is guaranteed but not 100% tested.  
    .
    .
    Revision 1.1  
    Jan. 2004  
    R0201-BS62LV4008  
    5

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