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BS616LV2019DIG55 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2019DIG55图片预览
型号: BS616LV2019DIG55
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 283 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
PACKAGE DIMENSIONS
12°(2X)
12°(2X)
HD
UNIT
SYMBOL
1
48
b
E
e
BS616LV2019
INCH
0.0433
±
0.004
A
A1 0.004
±
0.002
A2 0.039
±
0.002
b
0.009
±
0.002
b1 0.008
±
0.001
c
0.004 ~ 0.008
c1 0.004 ~ 0.006
D
0.645
±
0.004
E
0.472
±
0.004
0.020
±
0.004
e
HD 0.708
±
0.008
L
0.0236
±
0.006
L1 0.0315
±
0.004
y
0.004 Max.
0
°
~ 8
°
θ
MM
1.10
±
0.10
0.10
±
0.05
1.00
±
0.05
0.22
±
0.05
0.20
±
0.03
0.10 ~ 0.21
0.10 ~ 0.16
16.40
±
0.10
11.80
±
0.10
0.50
±
0.10
18.00
±
0.20
0.60
±
0.15
0.80
±
0.10
0.1 Max.
0
°
~ 8
°
24
25
"A"
D
Seating Plane
y
12°(2x)
A
A2
GAUGE PLANE
A
0.254
A1
24
25
SEATING PLANE
12°(2x)
WITH PLATING
A
L
L1
b
"A" DETAIL VIEW
c c1
BASE METAL
b1
SECTION A-A
1
48
TSOP1-48PIN
0
R0201-BS616LV2019
9
Revision 1.2
May
2004