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    BS616LV2019ECP55 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV2019ECP55图片预览
    型号： BS616LV2019ECP55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 256K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 256K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 209 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BS616LV2019ECP55的Datasheet PDF文件第10页  
    BS616LV4017  
    n Revision History  
    Revision No.  
    1.2  
    History  
    Draft Date  
    Remark  
    Add Icc1 characteristic parameter  
    Improve Iccsb1 spec.  
    Jan. 13, 2006  
    I-grade from 60uA to 20uA at 5.0V  
    10uA to 4.0uA at 3.0V  
    C-grade from 30uA to 10uA at 5.0V  
    5.0uA to 2.0uA at 3.0V  
    1.3  
    Change I-grade operation temperature range  
    May. 25, 2006  
    - from –25OC to –40OC  
    Revision 1.3  
    R0201-BS616LV4017  
    11  
    May.  
    2006  

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