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    BH62UV4000TIG55 参数 Datasheet PDF下载

    BH62UV4000TIG55图片预览
    型号： BH62UV4000TIG55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×8位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 8 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 397 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH62UV4000TIG55的Datasheet PDF文件第9页  
    BH62UV4000
    READ CYCLE 2
    (1,3,4)
    CE
    t
    ACS
    t
    CLZ
    D
    OUT
    (5)
    t
    CHZ
    (5)
    READ CYCLE 3
    (1, 4)
    t
    RC
    ADDRESS
    t
    AA
    OE
    t
    OE
    CE
    (5)
    t
    OH
    t
    OLZ
    t
    ACS
    t
    CLZ
    t
    OHZ
    t
    CHZ
    (5)
    (1,5)
    D
    OUT
    NOTES:
    1. WE is high in read Cycle.
    2. Device is continuously selected when CE = V
    IL
    3. Address valid prior to or coincident with CE transition low and/or CE2 transition high.
    4. OE = V
    IL
    .
    5. Transition is measured
    ±
    500mV from steady state with C
    L
    = 5pF.
    The parameter is guaranteed but not 100% tested.
    R0201-BH62UV4000
    5
    Revision 1.2
    Aug.
    2006

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