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    BH616UV1611AIP55 参数 Datasheet PDF下载

    BH616UV1611AIP55图片预览
    型号： BH616UV1611AIP55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 224 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH616UV1611AIP55的Datasheet PDF文件第9页  
    BH616UV1611  
    „ Revision History  
    Revision No.  
    1.0  
    History  
    Draft Date  
    Remark  
    Initial  
    Initial Production Version  
    - E3 pin is NC pin  
    May 10,2006  
    1.1  
    Change -55 55ns(Max.) at VCC=1.65~3.6V to  
    55ns(Max.) at VCC=3.0V and 70ns(Max.) at  
    VCC=1.8V  
    Oct. 31, 2008  
    Typical value of standby current is replaced by  
    maximum value in Featues section  
    Remove “-: Normal” (Leaded) PKG Material in  
    ordering information  
    Revision  
    1.1  
    2008  
    R0201-BH616UV1611  
    10  
    Oct.  

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