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BH616UV8011AIG70 参数 Datasheet PDF下载

BH616UV8011AIG70图片预览
型号: BH616UV8011AIG70
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 234 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV8011
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40
O
C to +85
O
C)
READ CYCLE
JEDEC
PARANETER
PARAMETER
NAME
NAME
CYCLE TIME : 55ns
(Vcc=3.0V)
MIN.
55
--
(CE1)
(CE2)
(LB, UB)
--
--
--
--
(CE1)
(CE2)
(LB, UB)
10
10
10
5
(CE1)
(CE2)
--
--
--
--
10
TYP.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
MAX.
--
55
55
55
55
30
--
--
--
--
25
25
25
25
--
CYCLE TIME : 70ns
(Vcc=1.8V)
MIN.
70
--
--
--
--
--
10
10
10
5
--
--
--
--
10
TYP.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
MAX.
--
70
70
70
70
35
--
--
--
--
30
30
30
30
--
DESCRIPTION
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select Access Time
Data Byte Control Access Time
Output Enable to Output Valid
Chip Select to Output Low Z
Chip Select to Output Low Z
Data Byte Control to Output Low Z
Output Enable to Output Low Z
Chip Select to Output High Z
Chip Select to Output High Z
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQX
t
E1LQV
t
E2LQV
t
BLQV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2LQX
t
BLQX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
BA
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
BE
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
BDO
t
OHZ
t
OH
Data Byte Control to Output High Z (LB, UB)
Output Enable to Output High Z
Data Hold from Address Change
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE 1
(1,2,4)
t
RC
ADDRESS
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
R0201-BH616UV8011
5
Revision
1.2
Oct.
2008