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    BH616UV8010TI55 参数 Datasheet PDF下载

    BH616UV8010TI55图片预览
    型号： BH616UV8010TI55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗/高速CMOS SRAM 512K ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 164 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第9页浏览型号BH616UV8010TI55的Datasheet PDF文件第10页  
    BH616UV8010  
    n Revision History  
    Revision No.  
    History  
    Draft Date  
    Remark  
    Initial  
    1.0  
    1.1  
    Initial Production Version  
    July 15,2005  
    Dec. 23, 2005  
    To improve access speed  
    - from 70ns to 55ns  
    1.2  
    Change I-grade operation temperature range  
    May. 25, 2006  
    - from –25OC to –40OC  
    Revision 1.2  
    R0201-BH616UV8010  
    11  
    May.  
    2006  

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