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BH616UV1610AI70 参数 Datasheet PDF下载

BH616UV1610AI70图片预览
型号: BH616UV1610AI70
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内容描述: 超低功耗/高速CMOS SRAM 1M ×16位 [Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 1M X 16 bit]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 152 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BH616UV1610
n
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= -40 C to +85 C)
READ CYCLE
JEDEC
PARAMETER
NAME
PARANETER
NAME
CYCLE TIME : 55ns
DESCRIPTION
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select Access Time
Data Byte Control Access Time
Output Enable to Output Valid
Chip Select to Output Low Z
Chip Select to Output Low Z
Data Byte Control to Output Low Z
Output Enable to Output Low Z
Chip Select to Output High Z
Chip Select to Output High Z
Data Byte Control to Output High Z
Output Enable to Output High Z
Data Hold from Address Change
(CE1)
(CE2)
(LB, UB)
(CE1)
(CE2)
(LB, UB)
(CE1)
(CE2)
(LB, UB)
MIN.
55
--
--
--
--
--
10
10
10
5
--
--
--
--
10
TYP.
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
MAX.
--
55
55
55
55
30
--
--
--
--
25
25
25
25
--
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
O
O
t
AVAX
t
AVQX
t
E1LQV
t
E2LQV
t
BLQV
t
GLQV
t
E1LQX
t
E2LQX
t
BLQX
t
GLQX
t
E1HQZ
t
E2HQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
BA
t
OE
t
CLZ1
t
CLZ2
t
BE
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
BDO
t
OHZ
t
OH
n
SWITCHING WAVEFORMS (READ CYCLE)
READ CYCLE 1
(1,2,4)
t
RC
ADDRESS
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
R0201-BH616UV1610
5
Revision 1.2
May.
2006