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    BL-BD1X0209 参数 Datasheet PDF下载

    BL-BD1X0209图片预览
    型号： BL-BD1X0209
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 芯片材料：铝镓砷/砷化镓 [Chip material: AlGaAs/GaAs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 2 页 / 118 K
    品牌： BRIGHT [ BRIGHT LED ELECTRONICS CORP ]
     浏览型号BL-BD1X0209的Datasheet PDF文件第1页  
    佰鸿电子股份有限公司。
    自1981年以来
    BL-BD1X0209
    ●
    电气和光学特性（Ta = 25℃）
    参数
    正向电压
    发光强度
    符号
    V
    F
    Iv
    I
    R
    λp
    λd
    ∆λ
    2θ
    1/2
    条件
    I
    F
    =20mA
    I
    F
    =20mA
    V
    R
    =5V
    I
    F
    =20mA
    I
    F
    =20mA
    I
    F
    =20mA
    I
    F
    =20mA
    颜色
    红
    绿色
    红
    绿色
    红
    绿色
    红
    绿色
    红
    绿色
    红
    绿色
    红
    绿色
    分钟。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    1.8
    2.2
    375
    125
    -
    660
    568
    643
    573
    20
    30
    20
    马克斯。
    2.6
    2.6
    -
    100
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    MCD
    反向电流
    峰值波长
    主波长度
    谱线半宽
    视角
    µA
    nm
    nm
    nm
    度
    ●
    典型的光电特性曲线
    图1相对强度与波长
    1.0
    图2正向电流降额曲线
    (G)
    (R)
    60
    正向电流（mA ）
    570
    640
    710
    50
    相对辐射强度
    40
    0.5
    30
    20
    10
    0
    500
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    波长
    λ （纳米）
    周围温度Ta （℃）
    图3正向电流与
    正向电压
    50
    (G)
    40
    (R)
    图4相对发光强度
    - 环境温度
    3.0
    2.5
    相对发光强度
    （归为20mA ）
    正向电流（mA ）
    2.0
    30
    1.5
    20
    1.0
    10
    0.5
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    -40
    -20
    0
    20
    40
    60
    正向电压（ V）
    A
    周围温度Ta （℃）
    图5相对发光强度
    与正向电流
    相对发光强度（ @ 20mA）的
    图6辐射方向图
    0
    (R)
    10
    20
    30
    2.0
    1.5
    (G)
    相对辐射强度
    1.0
    40
    1.0
    0.9
    0.8
    50
    60
    70
    0.5
    0.7
    80
    90
    0.5
    0.3
    0.1
    0.2
    0.4
    0.6
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    正向电流（mA ）
    1.0版本第2页2

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