*R
oH
S
CO
M
TISP8210MD BUFFERED P- GATE SCR DUAL
TISP8211MD BUFFERED N-二门双可控硅
互补BUFFERED -GATE SCRS
用于双极性SLIC过压保护
PL
IA
NT
TISP821xMD过压保护器
高性能防护用的SLIC +已经& -ve
电池供应
TISP8210MD负过电压保护器
- 宽0至-110 V编程范围
- 低5毫安最大。门极触发电流
- 高-150 mA最小。保持电流
TISP8211MD正过电压保护器
- 宽0〜 110 V范围编程
- 低-5 mA最大。门极触发电流
- 20毫安最小。保持电流
额定国际浪涌波形
波形
2/10
10/700
10/1000
标准
GR-1089-CORE
ITU -T K.20 /四十五分之二十一
GR-1089-CORE
I
PPSM
A
167
70
60
A
G2
A
G1
TISP8210MD 8 - SOIC封装(顶视图)
G1
K1
K2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
A
A
NC
MDRXAKC
NC - 无内部连接
TISP8210MD设备符号
K1
.................................................. UL认证组件
K2
SDRXAJB
电路中的应用框图
TISP8211MD 8 - SOIC封装(顶视图)
SLIC
保护
TIP
C2
100 nF的
G1
A1
A2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
K
K
NC
MDRXALC
NC - 无内部连接
C1
100 nF的
TISP8211MD设备符号
A1
环
TISP8210MD
TISP8211MD
+V
BAT
- V
BAT
AI-TISP8-003-a
G1
K
K
G2
A2
SDRXAKB
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日,包括附件
2006年1月 - 修订2007年5月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。