TISP8250D过压和过流保护
绝对最大额定值， TA = 25
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压（见注1 ）
非重复性峰值脉冲电流（见注2 ， 3和4 ）
2/10
µs
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 2/10
µs
波形）
0.2 / 310 （ CNET我31-24 ， 0.5 / 700
µs
波形）
5/310
µs
（ ITU -T K.20 / 21 ， 10/700
µs
电压波形）
5/310
µs
（ FTZ R12 ， 10/700
µs
电压波形）
10/1000
µs
（符合Telcordia GR -1089 -CORE ， 10/1000
µs
电压波形）
非重复性峰值通态电流， 50赫兹（见注2 ， 3和4 ）
10 ms半正弦波
1秒整流正弦波
1000秒整流的正弦波
结温
存储温度范围
注：1 。
2.
3.
4.
I
TSM
T
J
T
英镑
5
3.5
0.7
-40到+150
-65到+150
A
75
40
40
40
30
符号
V
DRM
价值
250
单位
V
I
PPSM
A
°
C
°
C
对于在较低温度下的电压值，减免在0.13 ％/
°
C.
最初的设备必须处于热平衡，其中T
J
= 25
°
C.
电涌可能会在设备返回到其初始条件后，重复进行。
EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB ，带5的印刷电路轨道连接标准封装尺寸
宽度。在-0.61 ％减免电流值/
°
C，而环境温度高于25
°
C.
电气特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
DRM
V
（BO）
I
（BO）
I
H
V
GK
I
GT
I
D
C
O
重复峰值断态电流
击穿电压
导通电流
保持电流
栅极 - 阴极电压
门极触发电流
Ø FF-态电流
关态电容
V
D
= V
DRM
的dv / dt = 250 V / ms的，R
来源
= 300
Ω
的dv / dt = 250 V / ms的，R
来源
= 300
Ω
I
T
= 5 A， di / dt的= -30毫安/ MS
I
G
= 30毫安
V
AK
= 100 V
V
D
= 60 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V有效值，V
D
= 5 V
15
180
0.6
1.2
40
5
100
测试条件
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
最小典型最大单位
5
10
340
µA
V
mA
V
mA
µA
pF
200毫安
热特性， TA = 25
°C
（除非另有说明）
参数
R
θ
JA
记
结到环境的热阻
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB，我
T
= I
TSM(1000)
（见注5 ）
最小典型最大
单位
170
°
C / W
5. EIA / JESD51-2环境和PCB与5A的额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
2000年7月 - 修订2005年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
