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TISP8201MDR 参数 Datasheet PDF下载

TISP8201MDR图片预览
型号: TISP8201MDR
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内容描述: 互补BUFFERED -GATE SCRS用于双极性SLIC过压保护 [COMPLEMENTARY BUFFERED-GATE SCRS FOR DUAL POLARITY SLIC OVERVOLTAGE PROTECTION]
分类和应用: 电信集成电路电信电路电信保护电路光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 325 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TISP8200M & TISP8201M
在TISP8200M和TISP8201M电压应力水平(续)
测试晶体管CB和SCR AK关闭状态:
在保护器的过冲期间出现的最高AK电压。为了确保该
在此期间,直流可控硅阻断结不分解测试为关断状态电流可以在过冲电压值施加。
以避免晶体管的CB电流放大由晶体管增益时,晶体管基极 - 发射极在此测试期间短路(参见图8) 。
摘要:
需要两个测试,以验证该保护结。所需的IR和ID的最大电流值。
TISP
8201M
A
K
0V
OR
TIP
A
C
B( G)
V
E
V
BATR
C
B( G)
0V
K
E
TISP
8200M
AI8XAH
图6.保护电极
I
R
V
(BO)
8201M
A
I
R
(内部)
I
EB
TISP
8201M
V
BATR
B( G)
0V
0V
I
R
(内部)
K
I
EB
B( G)
V
V
(BO)
8200M
I
R
AI8XAJ
TISP
8200M
图7.反向电流验证
I
D
A
V
(BO)
8201M
0V
V
(BO)
8200M
I
D
(内部)
K
I
D
I
D
(内部)
B( G)
I
CB
I
CB
B( G)
TISP
8200M
AI8XAK
TISP
8201M
0V
图8.断态电流验证
1998年5月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。