TISP8200M & TISP8201M
描述（续）
负过电压由NPN缓冲晶体管的射极跟随器的动作开始裁剪接近在SLIC负电源。如果有足够的
削波电流流过，这个SCR将重新生成，并切换成导通状态的低电压状态。作为过电压消退，高保持
SCR的电流防止直流闭锁。
该TISP8201M具有两个缓冲N-二栅可控硅具有共同的阴极连接的阵列。每个可控硅阳极和栅极有一个单独的
终端连接。 PNP的缓冲晶体管减少栅极电源电流。
在使用中， TISP8201M SCR的阳极分别连接到POTS线路的两根导线（见应用的信息）。门
连接到SLIC的适当的正电压电池馈找到该线对。这确保了TISP8201M保护
电压跟踪SLIC的正电源电压。该TISP8201M的阴极连接到SLIC的常见。
正的过电压是由PNP型缓冲晶体管的射极跟随器的动作开始裁剪接近SLIC的正电源。如果有足够的
削波电流流过，这个SCR将重新生成，并切换成导通状态的低电压状态。作为过电压减弱时， SLIC的拉
导体电压下降到其正常的负值，该整流导通可控硅成反向偏压条件。
对于TISP8200M ， T A = 25绝对最大额定值
°C
（除非另有说明）
等级
重复峰值断态电压， TISP8200M V
GK
= 0
重复峰值反向电压，V
GA
= -70 V
非重复性峰值通态脉冲电流， （见注1和2 ）
10/1000
µs
（ Telcordia公司/符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
5/310
µs
（ ITU -T K.20 ， K.45 K.21& ， K.44开路电压波形10/700
µs)
2/10
µs
（ Telcordia公司/符合Bellcore GR -1089 -CORE ，第2期， 1999年2月，第4节）
非重复性峰值通态电流， 50/60赫兹（见注1 ， 2和3 ）
100毫秒
1s
5s
300 s
900 s
非重复性峰值栅极电流， 2/10
µs
脉冲，阴极commoned （见注1 ）
结温
存储温度范围
-11
-6.5
-3.4
-1.4
-1.3
10
-55到+150
-65到+150
I
TSP
-45
-70
-210
A
符号
V
DRM
V
RRM
价值
-120
120
单位
V
V
I
TSM
A
I
GSM
T
J
T
英镑
A
°C
°C
注释：1.最初，保护器必须与-40热平衡
°C
≤
T
J
≤
85
°C.
电涌可能会在设备返回后反复
到它的初始条件。
2.这些非重复性额定电流峰值。额定电流值可以被应用到任何阴极 - 阳极端子对。
上述85
°C,
线性降额至零，在150
°C
铅温度。
3.这些非重复性额定电流端子都为TISP8200M和TISP8201M在一起。装置（ A）终端正电流
值由TISP8201M和（K）的终端负电流值由TISP8200M进行。
1998年5月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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