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TISP6NTP2CDR 参数 Datasheet PDF下载

TISP6NTP2CDR图片预览
型号: TISP6NTP2CDR
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内容描述: 高压振铃SLIC保护 [High Voltage Ringing SLIC Protector]
分类和应用: 电信集成电路电信电路电信保护电路光电二极管高压
文件页数/大小: 9 页 / 271 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TISP6NTP2C高压振铃SLIC保护
电气特性, 0
°C
TJ
70
°C
(除非另有说明)
参数
I
D
V
(BO)
V
(BO)
V
GK ( BO )
V
F
V
FRM
V
FRM
I
H
I
GKS
I
GT
V
GT
C
KA
Ø FF-态电流
斜导通
电压
脉冲导通
电压
栅极 - 阴极脉冲
击穿电压
正向电压
斜坡峰值正向
恢复电压
脉冲峰值正向
恢复电压
保持电流
门反向电流
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
UL 497B , dv / dt的
≤±100
V / μs的,的di / dt =
±10
A / μs的,
V
GG
= -100 V,最大倾斜值=
±10
A
(见注3 )
2/10
µs,
I
TM
= -27 A, di / dt的= -27 A / μs的,R
S
= 50
Ω,
V
GG
= -100 V,
(见注3 )
I
F
= 5 A,T
w
= 200
µs
UL 497B , dv / dt的
≤±100
V / μs的,的di / dt =
±10
A / μs的,
最大斜坡值=
±10
A
2/10
µs,
I
TM
= -27 A, di / dt的= -27 A / μs的,R
S
= 50
Ω,
(见注3 )
I
T
= -1时,的di / dt = 1A / MS ,V
GG
= -100 V
V
GG
= V
GK
= V
GKRM
, V
KA
= 0
I
T
= -3 A,T
P( G)
20
µs,
V
GG
= -100 V
I
T
= -3 A,T
P( G)
20
µs,
V
GG
= -100 V
F = 1MHz时, V
d
= 1 V,I
G
= 0 , (见注4 )
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
-150
-5
-50
5
6
2.5
100
50
T
J
= 25
°C
测试条件
T
J
= 25
°C
典型值
最大
-5
-50
T
J
= 25
°C
-112
-115
15
3
5
12
单位
µA
µA
V
V
V
V
V
V
mA
µA
µA
mA
mA
V
pF
pF
2/10
µs,
I
TM
= -27 A, di / dt的= -27 A / μs的,R
S
= 50
Ω,
V
GG
= -100 V,
门极触发电流
栅极 - 阴极触发
电压
阴极 - 阳极场外
态电容
NOTES : 3. GR -1089 -CORE帧内-建设2/10 , 1.5 kV的的条件与20 MHz的带宽的。该二极管的正向的恢复,并的晶闸管门极
脉冲导通(过冲)不强烈依赖SLIC的电源电压值(Ⅴ
GG
).
4.这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θJA
结到自由空气的热阻
测试条件
T
A
= 70
°C,
EIA / JESD51-3 PCB ,
EIA / JESD51-2环境下,P
合计
= 0.52 W
典型值
最大
160
单位
° C / W
2002年3月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。