TISP61521 SLIC保护
推荐工作条件
部件
C1
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE ， 2/10 ，三百六十分之一十和10/1000一级浪涌生存
串联电阻为GR -1089 -CORE ， 2/10 ，三百六十分之一十和10/1000第一级和2/10秒级
浪涌生存
串联电阻为K.20 ， K.21和K.45用400 V主保护协调
串联电阻用于K.44 4千伏10/700浪涌生存
串联电阻用于FCC第68部分A型一百六十零分之十和五百六十〇分之一十生存激增
R
S
串联电阻用于FCC第68部分B类七百二十〇分之九生存激增
串联电阻VDE 0433 2千伏10/700浪涌生存
串联电阻VDE 0878 2千伏1.2 / 50浪涌生存
串联电阻为IEC 6100-4-5 4千伏， 10/700 ， 5级，长距离均衡电路浪涌
生存与400 V主保护
串联电阻为IEC 6100-4-5 1.2 / 50-8 / 20的组合产生，等级0 〜5 （ 500 V至
4千伏最大） ，短距离均衡电路浪涌生存。
民
100
25
40
10
60
20
0
10
0
10
0
典型值
220
最大
单位
nF
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
电气特性， TJ = 25
°C
（除非另有说明）
参数
I
D
Ø FF-态电流
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
10/700, I
TM
= -30 A，R
S
= 10
Ω
1.2/50, I
TM
= -30 A，R
S
= 10
Ω
2/10, I
TM
= -38 A，R
S
= 62
Ω,
I
F
= 5 A，T
w
= 500
µs
10/700, I
F
= 30 A，R
S
= 10
Ω
1.2/50, I
F
= 30 A，R
S
= 10
Ω
2/10, I
F
= 38 A，R
S
= 62
Ω,
I
T
= -1时，的di / dt = 1A / MS ，V
GG
= -100 V
V
GG
= V
GK
= V
GKRM
, V
KA
= 0
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GG
= -100 V
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GG
= -100 V
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0 ， （见注4 ）
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
-150
-5
-50
3.0
2.0
100
50
测试条件
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
民
典型值
最大
-5
-50
7
10
25
2
5
7
12
单位
µA
µA
V
GK （ BO ）
栅极 - 阴极脉冲
击穿电压
正向电压
峰值正向恢复
电压
保持电流
门反向电流
门极触发电流
栅极 - 阴极触发
电压
阴极 - 阳极场外
态电容
V
V
F
V
FRM
I
H
I
GKS
I
GT
V
GT
C
KA
V
V
mA
µA
µA
mA
V
pF
pF
注4 ：这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
2001年4月修订版2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
