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TISP61511DR 参数 Datasheet PDF下载

TISP61511DR图片预览
型号: TISP61511DR
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内容描述: 双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 [DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS]
分类和应用: 电信集成电路光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 351 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TISP61511D门控保护器
电气特性, TJ = 25
°
C(除非另有说明) (续)
参数
I
H
I
I
GT
V
GT
C
AK
保持电流
门反向电流
门极触发电流
门极触发电压
阳极 - 阴极摘
态电容
测试条件
I
T
= 1 A, di / dt的= -1A / MS ,V
GG
= -48 V
V
GG
= -75连接V ,K和A端
I
T
= 3 A,T
P( G)
20
µs,
V
GG
= -48 V
I
T
= 3 A,T
P( G)
20
µs,
V
GG
= -48 V
F = 1MHz时, V
d
= 1 V,I
G
= 0 , (见注4 )
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
T
J
= 25°C
T
J
= 70°C
0.2
150
5
50
5
2.5
100
50
典型值
最大
单位
mA
µA
µA
mA
V
pF
pF
4 :这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θJA
分线箱N至自由空气的热阻
测试条件
P
合计
= 0.8 W,T
A
= 25°C
5厘米
2
, FR4 PCB
ð包
典型值
最大
170
单位
° C / W
1995年7月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。