TISP61089门控保护器系列
推荐工作条件
部件
C
G
门去耦电容
串联电阻为GR -1089 -CORE一级浪涌生存
R
S
串联电阻为GR -1089 -CORE第一级和第二级浪涌生存
串联电阻为GR -1089 -CORE内建设端口的浪涌生存
串联电阻为K.20 ， K.21和K.45用400 V主保护协调
民
100
25
40
8
10
典型值
220
最大
单位
nF
Ω
Ω
Ω
Ω
电气特性， TJ = 25
°
℃（除非另有说明）
参数
I
D
Ø FF-态电流
V
D
= V
DRM
, V
GK
= 0
测试条件
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
-57
-60
-60
-64
9
12
12
16
3
6
8
8
12
-150
T
J
= 25
°C
T
J
= 85
°C
-5
-50
5
2.5
0.1
100
50
mA
µA
µA
mA
V
µC
pF
pF
V
V
V
V
民
典型值
最大
-5
-50
单位
µA
µA
V
（BO）
击穿电压
2/10
µs,
I
PP
= -56 A，R
S
= 45
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
2/10
µs,
I
PP
= -100 A，R
S
= 50
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
1.2/50
µs,
I
PP
= -53 A，R
S
= 47
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
1.2/50
µs,
I
PP
= -96 A，R
S
= 52
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
2/10
µs,
I
PP
= -56 A，R
S
= 45
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
V
GK （ BO ）
栅极 - 阴极脉冲
击穿电压
正向电压
峰值正向恢复
电压
保持电流
门反向电流
门极触发电流
栅极 - 阴极触发
电压
门开关充电
阴极 - 阳极场外
态电容
2/10
µs,
I
PP
= -100 A，R
S
= 50
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
1.2/50
µs,
I
PP
= -53 A，R
S
= 47
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
1.2/50
µs,
I
PP
= -96 A，R
S
= 52
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
I
F
= 5 A，T
w
= 200
µs
2/10
µs,
I
PP
= 56 A，R
S
= 45
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
2/10
µs,
I
PP
= 100 A，R
S
= 50
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
1.2/50
µs,
I
PP
= 53 A，R
S
= 47
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
1.2/50
µs,
I
PP
= 96 A，R
S
= 52
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
I
T
= -1时，的di / dt = 1A / MS ，V
GG
= -48 V
V
GG
= V
GK
= V
GKRM
, V
KA
= 0
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GG
= -48 V
I
T
= -3 A，T
P（ G）
≥
20
µs,
V
GG
= -48 V
1.2/50
µs,
I
PP
= -53 A，R
S
= 47
Ω,
V
GG
= -48 V ，C
G
= 220 nF的
F = 1MHz时， V
d
= 1 V，I
G
= 0 ， （见注3 ）
V
D
= -3 V
V
D
= -48 V
V
F
V
FRM
I
H
I
GKS
I
GT
V
GT
Q
GS
C
KA
注： 3。这些电容测量采用三端电容桥纳入保护电路。未测
设备终端交流连接到所述桥的保护端子。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
测试条件
T
A
= 25
°C,
EIA/JESD51-3
PCB ， EIA / JESD51-2
环境，P
合计
= 1.7 W
1995年11月 - 修订2007年1月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
民
ð包
典型值
最大
120
单位
° C / W
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
