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TISP5115H3BJR-S 参数 Datasheet PDF下载

TISP5115H3BJR-S图片预览
型号: TISP5115H3BJR-S
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内容描述: 正向传导单向晶闸管过电压保护 [FORWARD-CONDUCTING UNIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS]
分类和应用: 触发装置硅浪涌保护器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 276 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TISP5xxxH3BJ过压保护系列
绝对最大额定值, TA = 25
°C
(除非另有说明)
等级
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
符号
价值
-58
-65
-75
-80
-90
-120
-160
±500
±300
±250
±220
±200
±200
±200
±160
±100
55
60
2.1
±400
-40到+150
-65到+150
单位
重复峰值断态电压(见注1 )
V
DRM
V
非重复性峰值脉冲电流(见注2 , 3和4 )
2/10
µs
( GR -1089 -CORE , 2/10
µs
电压波形)
8/20
µs
( IEC 61000-4-5 , 1.2 / 50
µs
电压, 8/20
µs
目前的混合波形发生器)
10/160
µs
( TIA - 968 -A ,一百六十○分之一十
µs
电压波形)
5/200
µs
( VDE 0433 , 10/700
µs
电压波形)
0.2/310
µs
(I3124, 0.5/700
µs
波形)
5/310
µs
( ITU -T K.44 , 10/700
µs
用于K.20 /四十五分之二十一电压波形)
5/310
µs
( FTZ R12 , 10/700
µs
电压波形)
10/560
µs
( TIA - 968 -A ,五百六十分之一十
µs
电压波形)
10/1000
µs
( GR -1089 -CORE , 10/1000
µs
电压波形)
非重复性峰值通态电流(见注2 , 3和5 )
20毫秒, 50赫兹(全正弦波)
16.7毫秒, 60赫兹(全正弦波)
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
通态电流上升的初始速度, GR -1089 -CORE 2/10
µs
波形
结温
存储温度范围
注:1 。
2.
3.
4.
5.
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
A
A / μs的
°C
°C
I
PPSM
A
参见图9为电压值在较低的温度。
最初的设备必须在以T热平衡
J
= 25
°C.
电涌可能会在设备返回到其初始条件后,重复进行。
参见图10 ,在其它温度下的额定电流。
EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB与5 A额定印刷线路板连接标准封装尺寸
赛道的宽度。为-0.61 % / ℃的环境温度高于25电流降额值
°C.
参见图8为其他额定电流
持续时间。
电气特性, TA = 25
°C
(除非另有说明)
参数
I
DRM
重复峰值断态电流
V
D
= V
DRM
测试条件
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
最小典型最大
-5
-10
-70
-80
-95
-110
-115
-150
-190
-80
-90
-105
-120
-125
-160
-200
单位
µA
V
(BO)
击穿电压
的dv / dt = -250 V / ms的,R
来源
= 300
V
V
(BO)
脉冲导通电压
dv / dt的
-1000 V / μs的,线性电压斜坡,
最大斜坡值= -500 V
的di / dt = -20 A / μs的,线性电流斜坡,
最大斜坡值= -10一
V
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。