TISP5xxxH3BJ过压保护系列
应用信息
电源测试
该保护器能够承受申请时间不超过这些电流如图8所示。电流超过这些时间必须
终止或减少，以避免保护器出现故障。保险丝， PTC （正温度系数）电阻器和熔断电阻器的过流
保护装置可被用于减少电流流动。保护熔丝的范围可以从几百毫安到1安培。
在某些情况下，可能有必要加入一些额外的串联电阻，以防止在冲击试验保险丝开口。的电流对
过电流保护装置的时间特性必须低于图8中所示。在一些情况下，线可以有更多的时间限制
经测试标准（如UL 1459接线模拟故障）的罚款。
电容
保护特性断态电容值给出了直流偏置电压， VD ， -1 V值， -2 V和-50 V的TISP5150H3BJ
和TISP5190H3BJ也给出为-100V。值其他电压可从图6中确定的高达10MHz的偏压，该
电容基本上与频率无关。高于10兆赫，有效电容强烈地依赖于连接电感。
在图12中，典型的导体偏置电压将是约-2 V和-50 V.图7示出了差动（行不平衡）电容
引起的偏置1保护器在-2 V和其他在-50五，例如， TISP5070H3BJ具有166 pF的差分电容值
在这些条件下。
正常的系统电压等级
保护器不应该剪辑或限制发生在正常系统操作的电压。图9允许保护VDRM的计算
在温度低于25的值
°C.
所计算出的值应不小于最大正常系统电压。该TISP5150H3BJ ，
与-120伏的VDRM ，可用于保护通过对具有-99 V， -110 V和-115 V（范围3最大值的ISDN饲料电压
范围5 ） 。这三个范围的电压代表0.83（一百二分之九十九），0.92（一百二十〇分之一百一）和0.96（一百二十○分之一百十五）的-120 V TISP5150H3BJ VDRM的。图9
表明VDRM将下降到其25 0.944
°C
在-40值
°C.
因此， -99 V（ 0.83 ）和-110 V电源电压馈（ 0.92 ）
将不会在温度限幅下降到-40
°C.
如果环境温度低于-21 -115 V（ 0.96 ）进料供给可以被裁剪
°C.
JESD51热测量方法
为规范热测量， EIA（电子工业联盟）创造了JESD51标准。标准的第2部分
（ JESD51-2 ，1995）描述了测试环境。这是一个0.0283立方米（1英尺3）立方体包含测试的PCB （印刷电路板）
水平安装在中央。标准（ JESD51-3 ， 1996）的第3部分定义了两种测试印刷电路板表面贴装元件;一个用于
包小超过27毫米的一侧，而另一个包长达48毫米。在SMB （DO- 214AA ）的测量中使用的更小76.2
毫米× 114.3毫米（ 3.0 “× 4.5” ）的PCB 。该JESD51-3多氯联苯被设计成具有低的有效热导率（高耐热性）和
代表最坏情况的条件。在大多数的应用中使用的印刷电路板将实现热电阻的值越低，因此可以
消散小于由JESD51的值指示较高的功率电平。
“ TISP ”是商Bourns公司，一商Bourns公司的商标，并登记在美国专利和商标局注册。
“商Bourns ”是商Bourns ， Inc.在美国和其他国家的注册商标。
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
