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    TISP4070M3BJR-S 参数 Datasheet PDF下载

    TISP4070M3BJR-S图片预览
    型号： TISP4070M3BJR-S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双向晶闸管过电压保护 [BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 15 页 / 388 K
    品牌： BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
     浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TISP4070M3BJR-S的Datasheet PDF文件第9页  
    TISP4xxxM3BJ过电压保护器系列
    电气特性， TA = 25
    °C
    （除非另有说明）
    参数
    测试条件
    F = 1MHz时， V
    d
    = 1 V有效值，V
    D
    = 0,
    民
    4070通' 4115
    4125 '通' 4220
    4240 '通' 4400
    4070 '通' 4115
    4125 '通' 4220
    4240 '通' 4400
    4070 '通' 4115
    4125 '通' 4220
    4240 '通' 4400
    4070 '通' 4115
    4125 '通' 4220
    4240 '通' 4400
    4125 '通' 4220
    4240 '通' 4400
    典型值
    83
    62
    50
    78
    56
    45
    72
    52
    42
    36
    26
    19
    21
    15
    最大
    100
    74
    60
    94
    67
    54
    87
    62
    50
    44
    31
    22
    25
    18
    单位
    F = 1MHz时， V
    d
    = 1 V有效值，V
    D
    = -1 V
    C
    关闭
    关态电容
    F = 1MHz时， V
    d
    = 1 V有效值，V
    D
    = -2 V
    pF
    F = 1MHz时， V
    d
    = 1 V有效值，V
    D
    = -50 V
    F = 1MHz时， V
    d
    = 1 V有效值，V
    D
    = -100 V
    （见注6 ）
    记
    6 ：为避免电压限幅，在“ 4125与V测试
    D
    = -98 V.
    热特性
    参数
    测试条件
    EIA / JESD51-3 PCB，我
    T
    = I
    TSM(1000)
    ,
    T
    A
    = 25
    °C,
    （见注7 ）
    265毫米X 210毫米填充线卡
    4层PCB板，我
    T
    = I
    TSM(1000)
    , T
    A
    = 25
    °C
    52
    民
    典型值
    最大
    115
    ° C / W
    单位
    R
    θ
    JA
    结到自由空气的热阻
    记
    7 ： EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
    1997年11月 - 修订2005年2月
    特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
    客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。

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