TISP4xxxM3BJ过电压保护器系列
电源测试
该保护器能够承受申请时间不超过这些电流，如图9所示电流超过这些时间必须
终止或减少，以避免保护器出现故障。保险丝， PTC （正温度系数）热敏电阻器和熔断电阻过流
保护装置可被用于减少电流流动。保护熔丝的范围可以从几百毫安到1安培。
在某些情况下，可能有必要加入一些额外的串联电阻，以防止在冲击试验保险丝开口。的电流对
过电流保护装置的时间特性必须是下面，如图9所示。在一些情况下，线，可能存在另外的时间限制
经测试标准（如UL 1459接线模拟故障）的罚款。
电容
保护特性断态电容值给出了直流偏置电压，VD 0 ，-1 V， -2 V和-50 V.如果可能的值
值也被给定为-100V。值其他电压可通过在给定的系数乘以在VD = 0的电容值来计算
图6.高达10 MHz ，电容基本上与频率无关。高于10兆赫时，有效电容是强
依赖于连接电感。在许多应用中，诸如图16和图18 ，典型的导体偏置电压将约为
-2 V和-50 V.图7示出了差动（行不平衡）所引起的偏置1保护器在-2 V和其他在-50五电容
图8示出了典型的电容不对称;与VD和一个正的值测量的电容之间的差别的
当VD的极性是相反的电容值。电容不对称是在ADSL系统的一个重要参数，其中
保护器通常没有直流偏压和信号电平是在该区域
±10
V.
正常的系统电压等级
保护器不应该剪辑或限制发生在正常系统操作的电压。为异常情况，如振铃无
连接线，某种程度的剪裁是允许的。在这种状态下，限幅10V左右，通常可以在不激活
环跳闸回路。
图11允许保护VDRM值的在温度低于25的计算
°C.
所计算出的值应不小于
最大的系统正常电压。该TISP4265M3BJ ，用200V的VDRM ，可用于环发电机的保护产生
环上的-58 V（ Th2和Th3的图18 ），电池电压100 V RMS。峰值环电压将是58 + 1.414 * 100 = 199.4 。然而，
这是开路电压和线路及其设备会降低峰值电压的连接。在一个极端的情况下
未连接的线，裁剪峰值电压为190 V不应该激活环之旅。将发生在该温度限幅这个水平
当VDRM已减少到二百分之一百九十= 0.95的25
°C
值。图11显示了将发生在环境温度为这种状态
-28
°C.
在这个例子中， TISP4265M3BJ将允许设备正常运行条件是该最小期望的环境温度
不低于-28
°C.
JESD51热测量方法
为规范热测量， EIA（电子工业联盟）创造了JESD51标准。标准的第2部分
（ JESD51-2 ，1995）描述了测试环境。这是一个0.0283立方米（1立方英尺）立方体包含测试的PCB （印刷电路板）
水平安装在中央。标准（ JESD51-3 ， 1996）的第3部分定义了两种测试印刷电路板表面贴装元件;一个用于
包小超过27毫米的一侧，而另一个包长达48毫米。该SMBJ测量中使用的更小的76.2毫米X
114.3毫米（ 3.0 “× 4.5” ）的PCB 。该JESD51-3多氯联苯被设计成具有低的有效热导率（高耐热性）和
代表了最坏的情况。在大多数的应用中使用的印刷电路板将实现热电阻的值越低，并且能
消散小于由JESD51的值指示较高的功率电平。
1997年11月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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