TISP40xxL1AJ / BJ VLV过压保护器
TISP
®
设备电压选择（续）
所以一个较高的电压保护器可能被选择具体地说，以减少对信号的保护电容效应。
低能量的短时峰值将被保护被裁剪。这将延长尖峰的持续时间和所述数据丢失时间。较高的保护
电压将减少数据丢失的时间。通常，这不会对导体间保护显著因子。
然而，裁剪是显著的保护接地，那里是连续的低层次交流共模感应。在某些情况下
交流感应电压可超过10 V重复削波的感应交流受保护的峰值会导致严重的数据损坏。该
预计交流电压感应应该被添加到的最大信号电平来设置保护V
DRM
值。
2 -Wire数字系统
使用一对双绞线连接的典型系统：综合业务数字网（ ISDN ）和对增益。
在变压器的信号电平的保护绕组由保护Th3的和Th5时给出。通常，这些可以是具有一个TISP4015L1型器件
15 V电压保护水平。
LINE
信号
T1
Th1
Th3
C1
Th2
OVER-
当前
保护
OVER-
当前
保护
Th4
C2
Th5
T2
信号
变压器耦合双线接口
直流馈电
DC电源
AI4XAL
图11.两线制
两个线路保护电路给出; 1参考用Th1和Th2 （左）和其他配线间使用保护值Th4 （右）接地 - 见
图11.对于ISDN电路合为ETSI ETR 080 ：1993 ，范围1和2可以由以下设备类型进行保护： TISP4095M3 ，
TISP4095H3 ， TISP3095H3 （结合Th1和Th2 ）和TISP7095H3 （结合的Th1 ， Th2和Th4的） 。范围4至5可以得到保护：
TISP4145M3 ， TISP4145H3 ， TISP3145H3 （结合Th1和Th2 ）和TISP7145H3 （结合的Th1 ， Th2和Th4的） 。设备需求激增，H
或M ，将通过所述过电流保护元件，并且按照标准来设定。保护只是直流的喂ETSI范围是
包括在TISP5xxxH3数据表。
当循环测试电压超过正常的直流料水平，更高电压保护器需要进行选择。两个终端保护，为
水平高达190 V（ 135 V有效值）的TISP4250 ，H 3或M 3，可以使用与用于210 V（ 150 V有效值）的TISP4290 ，H3或M3的，都可以使用。
在对增益系统，保护V
DRM
通常由直流设定饲用价值。以下系列器件具有一个160 V工作电压
25
°C:
TISP4220M3 ， TISP4220H3 ， TISP3210H3 （结合Th1和Th2 ）和TISP7210H3 （结合的Th1 ， Th2和Th4的） 。这些装置可以是
在150 V直流用馈电压下降到-25的环境温度下
°C.
其中，用户设备可能暴露于POTS（普通
老式电话服务）的电压水平，保护Th4时需要更高的工作的约275五，适用的设备类型电压为： TISP4350M3 ，
TISP4350H3 ， TISP3350H3 （结合Th1和Th2 ）和TISP7350H3 （结合的Th1 ， Th2和Th4的） 。
对于过电压保护器的过流保护可保险丝， PTC或基于厚膜电阻。其交流限流能力应少
比预期的过电压保护器的评级。设备与2000年国际K.20 ， K.21和K.45遵守
由ITU-T的建议中，可能需要以证明与预期主保护保护协调。无添加
串联电阻，一个简单的串联保险丝过流保护很可能会失败的设备，这部分的建议。
如果直流饲料由大小相等正负电压供应，适当地连接TISP5xxxH3单向
保护器可以取代Th1和Th2 。
4 -Wire数字系统
使用两根双绞线连接的典型系统是高比特率数字用户线（HDSL ）和ISDN的“S”的接口。
图12示出了一个通用的2线制。 HDSL趋于具有接地参考的保护在所述线（Th1细胞， Th2细胞， Th3的和Th4时）的两端。
在ISDN “S”的接口通常是内部的处所和简单的跨线保护用于在终端适配器（ Th7时和TH8 ） 。在所有
的情况下，信号保护， Th5时， Th6时， TH9和TH10 ，可以用15 V电压保护水平TISP4015L1类型的设备。
1999年8月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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