TISP30xxF3 （ LV ），过电压保护器系列
应用信息
保护电压
所述保护电压（ V（ BO） ），由于晶闸管再生雷电浪涌的条件下增大。这种增加是依赖于
目前的利率上升， di / dt的，当TISP®设备夹紧在其击穿区域的电压。浪涌条件下的V（ BO ）值可以
由归一化的增加在浪涌的di / dt的（图7）乘以50赫兹速度V （BO） （250 V / ms）的值来估计。的估计
的di / dt可以从浪涌发生器电压上升率， dv / dt的，并且电路电阻制成。
作为一个例子，在ITU-T K.21 1.5千伏， 10/700
µs
浪涌的平均dv / dt的150伏/微秒，但是，由于上升是指数的，初始的dv / dt是
更高，在450伏/微秒的区域之中。瞬时发电机输出电阻25
Ω.
如果该设备具有附加的系列
20阻力
Ω,
的总串联电阻为45
Ω.
最大的di / dt然后可估计为四十五分之四百五十〇 = 10A /微秒。在实践中，该
测得的di / dt和保护电压升高会降低，由于电感效应和TISP®击穿有限斜率电阻
区。
电容
关态电容
一个TISP®装置的断开状态电容对结温，TJ ，偏置电压敏感，其包括直流的电压， VD ，
与交流电压Vd的。所有在本数据手册的电容值测量交流电压为100毫伏。典型的25
°C
变异
电容值与交流的偏差示于图17。当性病>> Vd的，电容值是独立于Vd的值。该
电容基本上是恒定的正常通信的频率范围内。
归一化电容
vs
RMS交流试验电压
1.05
1.00
归一化电容
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
1
10
100
归到V
d
= 100 mV的
直流偏置，V
D
= 0
AIXXAA
1000
V
d
- RMS交流试验电压 - 毫伏
图17 。
1994年3月 - 修订2006年3月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
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