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TIP30C 参数 Datasheet PDF下载

TIP30C图片预览
型号: TIP30C
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 89 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TIP30 , TIP30A , TIP30B , TIP30C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
TCS632AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS632AE
I
C
= -100毫安
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
h
FE
- 直流电流增益
100
-1·0
10
-0·1
1
-0·001
-0·01
-0·1
-1·0
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
-1000
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·0
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-0·9
TCS632AF
-0·8
-0·7
-0·6
-0·5
-0·01
-0·1
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
网络连接gure 3 。
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