BUX84
NPN硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
t
C
ob
注：2 。
3.
4.
5.
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
电流增益
带宽积
输出电容
I
C
=
0.1 A
测试条件
L = 25毫亨
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.1 A
I
C
= 0.3 A
I
C
=
I
C
=
1A
1A
（见注3和4）
（见注3和4）
（见注3和4）
12
F = 0.1 MHz的
60
35
0.8
1
1.1
V
V
兆赫
pF
T
C
= 125°C
（见注2 ）
民
400
0.2
1
1
典型值
最大
单位
V
mA
mA
V
CE
= 800 V
V
CE
= 800 V
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CB
=
5V
5V
0.03 A
0.2 A
0.2 A
10 V
20 V
I
C
= 0.2 A
I
E
= 0
感应线圈切换测量。
这些参数必须采用脉冲技术来测量，叔
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
为了获得˚F
t
在[H
FE
[反应外推在-6分贝每倍频程的速率从步骤f = 1 MHz到的频率，并[h] = 1 。
FE
热特性
参数
R
θJC
结到外壳热阻
民
典型值
最大
2.5
单位
° C / W
阻性负载开关特性，在25℃情况下的温度（除非另有说明）
参数
t
on
t
s
t
f
t
f
†
测试条件
I
C
= 1 A
V
CC
= 250 V
I
C
= 1 A
V
CC
= 250 V
I
B（上）
= 0.2 A
†
民
I
B（关闭）
= -0.4 A
典型值
0.25
1.8
0.2
最大
0.5
单位
µs
µs
µs
启动时间
贮存时间
下降时间
下降时间
（参见图1和图2）
I
B（上）
= 0.2 A
T
C
= 95°C
I
B（关闭）
= -0.4 A
0.4
µs
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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