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BD746B 参数 Datasheet PDF下载

BD746B图片预览
型号: BD746B
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 110 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
TCS636AE
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
I
C
= 10
I
B
t
p
= 300μS ,占空比< 2 %
TCS636AF
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -55°C
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
V
CE
= -4 V
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
10
-0·1
-1·0
-10
-100
T
C
= -55°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS635AC
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 1毫秒,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10毫秒,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 50毫秒,
d = 0.1 = 10%
直流操作
-1·0
-0·1
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
-0·01
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
网络连接gure 3 。
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3