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BD650 参数 Datasheet PDF下载

BD650图片预览
型号: BD650
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内容描述: PNP硅功率DARLINGTONS [PNP SILICON POWER DARLINGTONS]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 115 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BD646 , BD648 , BD650 , BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD646
V
( BR ) CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
(见注5 )
BD648
BD650
BD652
V
CE
= -30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -40 V
V
CB
= -50 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -70 V
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
电压
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-3 V
-12毫安
-50毫安
-50毫安
-3 V
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-3 A
-3 A
-5 A
-5 A
-3 A
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
(见注5和6)
(见注5和6)
(见注5和6)
(见注5和6)
(见注5和6)
750
-2
-2.5
-3
-2.5
V
V
V
BD646
BD648
BD650
BD652
BD646
BD648
BD650
BD652
BD646
BD648
BD650
BD652
-60
-80
-100
-120
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-2.0
-2.0
-2.0
-2.0
-5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
2.0
62.5
单位
° C / W
° C / W
2
1993年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP