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BD540A 参数 Datasheet PDF下载

BD540A图片预览
型号: BD540A
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内容描述: PNP硅功率晶体管 [PNP SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 104 K
品牌: BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]
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BD540 , BD540A , BD540B , BD540C
PNP硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD540
V
( BR ) CEO
I
C
= -30毫安
(见注4 )
V
CE
= -40 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -60 V
V
CE
= -80 V
V
CE
= -100 V
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -0.5 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
- 1A
-3 A
- 5A
-3 A
(见注4和5)
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
(见注4和5)
(见注4和5)
40
30
12
-0.25
-0.8
-1.5
-1.25
V
V
I
B
= 0
BD540A
BD540B
BD540C
BD540
BD540A
BD540B
BD540C
BD540/540A
BD540B/540C
-40
-60
-80
-100
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.3
-0.3
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
I
B
= -125毫安
I
B
= -375毫安
I
B
=
V
CE
=
-1 A
-4 V
V
CE ( SAT )
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注: 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -1 A
V
BE (OFF)的
= 4.3 V
I
B(上)
= -0.1 A
R
L
= 30
I
B(关闭)
= 0.1 A
t
p
= 20微秒,直流
2%
典型值
0.3
1
最大
单位
µs
µs
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP