BD245B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD245B
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内容描述：	NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 108 K
品牌：	BOURNS [ BOURNS ELECTRONIC SOLUTIONS ]

BD245 ， BD245A ， BD245B ， BD245C

NPN硅功率晶体管

最大安全工作区

最大正向偏置

安全工作区

100

SAS633AC

- 集电极电流 - 一个

= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％

= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％

= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％

直流操作

1·0

0·1

BD245

BD245A

BD245B

BD245C

100

1000

0·01

1·0

- 集电极 - 发射极电压 - V

图4中。

热信息

最大功率耗散

外壳温度

100

合计

- 最大功耗 - W

TIS633AA

100

125

150

- 外壳温度 - C

图5中。

1973年6月 - 修订2002年9月

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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